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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]接触层与金属接触衬底连接的方法,及有关的接触层-CN94193439.X无效
发明人：弗朗兹·豪纳尔 -专利权人：西门子公司
申请日： 1994-09-20 - 公布日： 1999-12-15 - 主分类号： H01H11/06 文献下载
摘要：接触层通常是通过硬焊或焊接与其衬底连接。为此，结合面必须是合适的料层。根据本发明的方法，将接触层在进行无熔融的焊接前，至少在接触层表面上的焊面上，而且表面邻近区域中的金属氧化物至少部分地还原成金属。尤其是基于银－氧化铁（AgFe2O3／Fe3O4）的接触材料也可以使在连接面上的氧化铁还原，因为在连接后又可以重新形成氧化铁。或者还可以将作为还原剂的的碳加入到接触层的焊面上。
接触金属衬底连接方法有关

[发明专利]复合接触蚀刻停止层-CN201810929762.8有效
发明人：黄海苟;丹尼尔·杰格;吴旭昇;高金晟 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及复合接触蚀刻停止层，其中，一复合蚀刻停止层包括形成于一牺牲栅极结构上方的一氧化物层以及形成于该氧化物层上方的一氮化物层。该氧化物层仅设于该牺牲栅极结构的较低部分的上方，而该氮化物层包封该氧化物层，并直接设于该牺牲栅极结构的一顶表面的上方。例如，于该复合蚀刻停止层的上方形成一层间介电质的期间，氮化物层对氧化的敏感性，通过于该牺牲栅极层的上部消除该氧化物层而降低。
复合接触蚀刻停止

[发明专利]电缆屏蔽层接触件-CN200480034072.2无效
发明人：丹尼尔·J·马林 -专利权人：西蒙公司
申请日： 2004-11-18 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01R9/05 文献下载
摘要：一种包括数个指形件的导电性屏蔽接触件，所述指形件形成在局部圆周上、用于接触电缆屏蔽层，该指形件为分开的元件，每一指形件具有第一端部和第二端部。局部环形元件定位在指形件的第二端部并且连接到指形件上。形成有用于接触连接器的导电性部分、以在电缆屏蔽层和连接器的导电性部分之间建立电通路的突片。
电缆屏蔽接触

[发明专利]层间介质层及其层内接触孔的刻蚀方法-CN201510587576.7有效
发明人：李健 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种层间介质层和层间介质层内接触孔的刻蚀方法，利用双刻蚀阻挡层结构，可以减少各区域厚度不同的ILD层的刻蚀进度差异，使不同厚度区域的刻蚀进度差异大幅缩小。提高刻蚀的均匀性，防止氧化膜层过薄区域的阻挡层被过早刻穿及STI被过刻蚀，避免漏电造成的芯片失效。
介质及其接触刻蚀方法

[发明专利]用于层状材料的接触层-CN202310463457.5在审
发明人： C·萨高;S·邵林;M·马天尼;Y·李;K·尼尔施;V·维诺库尔;N·庞西亚 -专利权人：特拉量子股份公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开涉及用于层状材料的接触层。一种电子器件，包括衬底、布置在该衬底上的第一层状材料的第一层、布置在该衬底上的第二层状材料的第二层、重叠区域、以及接触层。在该重叠区域中，该第二层布置在该第一层上，并且该第二层的底表面的区段平行于该第一层的顶表面的区段。该接触层布置在该第一层和第二层上。该接触层包括电绝缘元件和多根导电线。该电子器件还包括：在该第一导电线与该第一层之间的第一电触点；以及在该第二导电线与该第二层之间的第二电触点。
用于层状材料接触

[发明专利]金属元件表面上的接触层和具有这种接触层的铰链-CN202010381174.2在审
发明人： A.阿布杜尔;C.达约特;C.马塔;闫裴;X.周 -专利权人：斯凯孚公司;斯凯孚航空法国公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： F16C11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种接触层(8)，其通过离心步骤在第一金属元件(7)的内表面(7B)上通过沉积方法形成。本发明还涉及一种铰接部件(1)，其包括具有设置该第一接触层(8)的表面(7B)的第一金属元件(7)，以及具有第二表面(3B)的第二金属元件(3)，所述第一元件(7)和第二元件(3)通过所述第一表面(7B
金属元件表面上接触具有这种铰链

[发明专利]具有分隔接触的磁性叠层-CN201310368249.3在审
发明人： H·S·埃德尔曼;V·B·萨波日尼克;M·S·U·帕特瓦里 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：申请公开了具有分隔接触的磁性叠层。根据一些实施例，可构造一种用于二维读取的装置，其具有分别被配置成配合于数据存储介质的毗邻数据轨道的数个磁性叠层。每个磁性叠层可被设置在顶屏蔽和底屏蔽之间，同时每个屏蔽被分段成数个接触，其数目不同于磁性叠层的数目。
具有分隔接触磁性

[发明专利]一种接触层OPC方法-CN202310487630.5在审
发明人：何大权;陈翰;魏芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种接触层OPC方法，包括在接触层目标图形中选择特征OPC图形，并选择相应的第一亚分辨率辅助图形得到第二亚分辨率辅助图形，以特征OPC图形对应的特征目标图形边为目标生成第三亚分辨率辅助图形，根据目标图形和第三亚分辨率辅助图形进行基于模型的本发明提供的接触层OPC方法，可以整体提高整体工艺窗口，避免OPC热点的产生，且通过在OPC处理流程中优化亚分辨率辅助图形，改善热点通孔图形的工艺窗口的同时，又不需要重复执行OPC流程，减少OPC方法优化流程及
一种接触 opc 方法

[发明专利]形成层间接触的方法-CN200910045975.5有效
发明人：邹立 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-01-19 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成层间接触的方法，包括：提供具有沟槽的第一材料层以及填满所述沟槽并覆盖第一材料层表面的第二材料层；使用第一蚀刻步骤蚀刻第二材料层至曝露出第一材料层；使用第二蚀刻步骤继续蚀刻第一材料层至第一材料层的沟槽中的第二材料层露头形成第二材料插塞；在第一材料层及第二材料插塞表面形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层表面形成第三材料层；蚀刻第三材料层及蚀刻停止层，形成与所述第二材料插塞连通的通孔；去除第二材料插塞表面及侧壁的蚀刻停止层。所述形成层间接触的方法还节约了工艺成本。
形成层间接方法

[发明专利]双接触孔蚀刻停止层工艺-CN200810110737.3有效
发明人：李东兴;杨明宗;柯庆忠;张添昌;张裕东 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2008-05-28 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种双接触孔蚀刻停止层工艺，包括：提供基板，基板上具有第一元件区、第二元件区以及位于第一元件区与第二元件区之间的浅沟槽区；在基板上形成具有第一应力的第一应力诱发薄膜，第一应力诱发薄膜未覆盖第二元件区；以及在基板上形成具有第二应力的第二应力诱发薄膜上述双接触孔蚀刻停止层工艺能够使制造出的晶体管具有更好的性能。
接触蚀刻停止工艺

[发明专利]具有固体填料组分的接触层-CN201680068091.X有效
发明人： H·阿克曼;F·赫福林;R·罗尔;L·古特亚尔;R·兹洛特兹;S·舒恩布洛特 -专利权人： SIKA技术股份公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C04B26/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于防水和屋顶应用的接触层。该接触层包含固体填料组分F和热塑性聚合物组分P。本发明还涉及用于制备该接触层的方法，用于将两个基材彼此粘结的方法，用于使基材防水的方法，防水的结构，用于密封表面防止水渗透的方法，用于密封基材防止水渗透的密封结构以及接触层作为防水膜的用途。
具有固体填料组分接触

[实用新型]具有银接触层的开关模组-CN201420420174.9有效
发明人：杨勇欢 -专利权人：广州森下电装科技有限公司
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01H1/025 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有银接触层的开关模组，包括壳体和收容固定在所述壳体内部的开关单元，所述开关单元包括第一开关触点、第二开关触点和金属弹片，其中所述第一开关触点和第二开关触点相对设置，所述第一开关触点和所述第二开关触点均包括铜基材和镀设在所述铜基材表面的银接触层，所述金属弹片选择性地与所述第一开关触点的银接触层或所述第二开关触点的银接触层电性接触。
具有接触开关模组

[外观设计]接触式着灯玻璃层板-CN201930010636.8有效
发明人：余嘉耀 -专利权人：佛山市三水正域铝型材制品有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： 26-05 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：接触式着灯玻璃层板。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于衣柜用玻璃层板灯。3．本外观设计产品的设计要点：产品的外观形状。
外观设计灯玻璃接触式玻璃层板外观形状衣柜图片

[发明专利]具有牺牲多晶硅层的接触蚀刻停止层-CN201810679506.8有效
发明人：黄海苟;高金晟;盛海峰;刘金平;高明哈;臧辉 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及具有牺牲多晶硅层的接触蚀刻停止层，该接触蚀刻停止层包括形成于牺牲栅极结构上面的氮化物层与形成于该氮化物层上面的多晶硅层。在后续制程期间，该多晶硅层适合氧化且形成氧化物层。该多晶硅层的氧化有效遮蔽底下的氮化物接触蚀刻停止层免受氧化，这保护该氮化物层的机械完整性。
具有牺牲多晶接触蚀刻停止

[发明专利]用于使半导体材料与接触层片接触的方法-CN201380039266.0有效
发明人： T.聚纳 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于使半导体材料与接触层片接触的方法，其中半导体材料具有碳化硅（SiC），所述方法包括下述方法步骤a）将接触层片施加到半导体材料上，其中接触层片包括氧化镍并且必要时镍；和b）以升高的温度处理至少接触层片和半导体材料之间的界面通过这样的方法，例如可以建立欧姆接触部，所述欧姆接触部由于镍在碳化硅上的改进的附着而具有改进的持久稳定性。本发明此外涉及一种用于制造半导体构件的方法以及一种半导体构件。
用于半导体材料接触方法

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